單項選擇題pn結(jié)正向偏置時,空間電荷區(qū)寬度()。
A.變窄
B.不變
C.變寬
D.消失
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1.單項選擇題pn結(jié)正向偏置時,理論上載流子濃度梯度最大的位置位于()。
A.p區(qū)
B.p區(qū)和n區(qū)的邊界
C.n區(qū)
D.pn結(jié)的界面上
2.單項選擇題平衡狀態(tài)的pn結(jié),其空間電荷區(qū)的載流子濃度()。
A.突變
B.逐漸變化
C.為零
D.與p區(qū)和n區(qū)相同
3.單項選擇題pn結(jié)正向偏置時,p區(qū)邊界附近()。
A.電子的漂移電流占據(jù)主導地位
B.空穴的擴散電流占據(jù)主導地位
C.電子的擴散電流占據(jù)主導地位
D.空穴的漂移電流占據(jù)主導地位
4.單項選擇題理想pn結(jié)電流與電壓之間的關系式被稱為是()。
A.肖特基方程式
B.肖克萊方程式
C.肖伯特方程式
D.希伯特方程式
5.單項選擇題理論上來說,pn結(jié)正向偏置導通后產(chǎn)生的電流屬于()。
A.熱運動電流
B.熱激發(fā)電流
C.漂移電流
D.擴散電流
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處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
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MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
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氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
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半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題