晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。