MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。