MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。