當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。