P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。