MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。

MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。