MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。