N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。