晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。