單項(xiàng)選擇題pn結(jié)正向偏置時(shí),p區(qū)邊界附近()。
A.電子的漂移電流占據(jù)主導(dǎo)地位
B.空穴的擴(kuò)散電流占據(jù)主導(dǎo)地位
C.電子的擴(kuò)散電流占據(jù)主導(dǎo)地位
D.空穴的漂移電流占據(jù)主導(dǎo)地位
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1.單項(xiàng)選擇題理想pn結(jié)電流與電壓之間的關(guān)系式被稱為是()。
A.肖特基方程式
B.肖克萊方程式
C.肖伯特方程式
D.希伯特方程式
2.單項(xiàng)選擇題理論上來(lái)說(shuō),pn結(jié)正向偏置導(dǎo)通后產(chǎn)生的電流屬于()。
A.熱運(yùn)動(dòng)電流
B.熱激發(fā)電流
C.漂移電流
D.擴(kuò)散電流
3.單項(xiàng)選擇題pn結(jié)正向偏置時(shí),其電流和電壓之間的關(guān)系函數(shù)屬于()。
A.雙曲函數(shù)
B.冪函數(shù)
C.對(duì)數(shù)函數(shù)
D.指數(shù)函數(shù)
4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中的載流子擴(kuò)散的根本原因是()。
A.能量梯度
B.能級(jí)梯度
C.濃度梯度
D.遷移率梯度
5.單項(xiàng)選擇題傳統(tǒng)上,pn結(jié)又常常被稱為()。
A.異質(zhì)結(jié)
B.雙極型
C.二極管
D.雙極管
最新試題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型:判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
晶體管正常使用過(guò)程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型:判斷題