單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中的載流子擴(kuò)散的根本原因是()。
A.能量梯度
B.能級梯度
C.濃度梯度
D.遷移率梯度
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題傳統(tǒng)上,pn結(jié)又常常被稱為()。
A.異質(zhì)結(jié)
B.雙極型
C.二極管
D.雙極管
2.單項(xiàng)選擇題實(shí)際材料中,pn結(jié)空間電荷區(qū)的厚度大概是()。
A.幾個納米
B.幾個毫米
C.幾個厘米
D.幾個微米
3.單項(xiàng)選擇題我們?nèi)粘I钪幸姷降墓杌夥M件中的pn結(jié)的廣泛制備方法是()。
A.合金法
B.離子注入法
C.擴(kuò)散法
D.外延生長法
4.單項(xiàng)選擇題本征半導(dǎo)體中有哪些類型的載流子?()
A.重電子和輕電子
B.電子和空穴
C.輕空穴和重空穴
D.正電荷和負(fù)電荷
5.單項(xiàng)選擇題純硅中的電子和空穴在室溫下它們的數(shù)量符合什么要求?()
A.數(shù)量成反比
B.與硅的密度成正比
C.永遠(yuǎn)相等
D.永遠(yuǎn)不相等
最新試題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型:判斷題