單項(xiàng)選擇題pn結(jié)正向偏置時(shí),其電流和電壓之間的關(guān)系函數(shù)屬于()。
A.雙曲函數(shù)
B.冪函數(shù)
C.對(duì)數(shù)函數(shù)
D.指數(shù)函數(shù)
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1.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中的載流子擴(kuò)散的根本原因是()。
A.能量梯度
B.能級(jí)梯度
C.濃度梯度
D.遷移率梯度
2.單項(xiàng)選擇題傳統(tǒng)上,pn結(jié)又常常被稱為()。
A.異質(zhì)結(jié)
B.雙極型
C.二極管
D.雙極管
3.單項(xiàng)選擇題實(shí)際材料中,pn結(jié)空間電荷區(qū)的厚度大概是()。
A.幾個(gè)納米
B.幾個(gè)毫米
C.幾個(gè)厘米
D.幾個(gè)微米
4.單項(xiàng)選擇題我們?nèi)粘I钪幸?jiàn)到的硅基光伏組件中的pn結(jié)的廣泛制備方法是()。
A.合金法
B.離子注入法
C.擴(kuò)散法
D.外延生長(zhǎng)法
5.單項(xiàng)選擇題本征半導(dǎo)體中有哪些類型的載流子?()
A.重電子和輕電子
B.電子和空穴
C.輕空穴和重空穴
D.正電荷和負(fù)電荷
最新試題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型:判斷題
晶體管正常使用過(guò)程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型:填空題