A.肖特基方程式
B.肖克萊方程式
C.肖伯特方程式
D.希伯特方程式
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.熱運(yùn)動(dòng)電流
B.熱激發(fā)電流
C.漂移電流
D.擴(kuò)散電流
A.雙曲函數(shù)
B.冪函數(shù)
C.對(duì)數(shù)函數(shù)
D.指數(shù)函數(shù)
A.能量梯度
B.能級(jí)梯度
C.濃度梯度
D.遷移率梯度
A.異質(zhì)結(jié)
B.雙極型
C.二極管
D.雙極管
A.幾個(gè)納米
B.幾個(gè)毫米
C.幾個(gè)厘米
D.幾個(gè)微米
最新試題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。