A.熱運(yùn)動(dòng)電流
B.熱激發(fā)電流
C.漂移電流
D.擴(kuò)散電流
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A.雙曲函數(shù)
B.冪函數(shù)
C.對(duì)數(shù)函數(shù)
D.指數(shù)函數(shù)
A.能量梯度
B.能級(jí)梯度
C.濃度梯度
D.遷移率梯度
A.異質(zhì)結(jié)
B.雙極型
C.二極管
D.雙極管
A.幾個(gè)納米
B.幾個(gè)毫米
C.幾個(gè)厘米
D.幾個(gè)微米
A.合金法
B.離子注入法
C.擴(kuò)散法
D.外延生長(zhǎng)法
最新試題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體,其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
晶體管正常使用過(guò)程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。