單項選擇題平衡狀態(tài)的pn結,其空間電荷區(qū)的載流子濃度()。
A.突變
B.逐漸變化
C.為零
D.與p區(qū)和n區(qū)相同
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1.單項選擇題pn結正向偏置時,p區(qū)邊界附近()。
A.電子的漂移電流占據(jù)主導地位
B.空穴的擴散電流占據(jù)主導地位
C.電子的擴散電流占據(jù)主導地位
D.空穴的漂移電流占據(jù)主導地位
2.單項選擇題理想pn結電流與電壓之間的關系式被稱為是()。
A.肖特基方程式
B.肖克萊方程式
C.肖伯特方程式
D.希伯特方程式
3.單項選擇題理論上來說,pn結正向偏置導通后產生的電流屬于()。
A.熱運動電流
B.熱激發(fā)電流
C.漂移電流
D.擴散電流
4.單項選擇題pn結正向偏置時,其電流和電壓之間的關系函數(shù)屬于()。
A.雙曲函數(shù)
B.冪函數(shù)
C.對數(shù)函數(shù)
D.指數(shù)函數(shù)
5.單項選擇題半導體中的載流子擴散的根本原因是()。
A.能量梯度
B.能級梯度
C.濃度梯度
D.遷移率梯度
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當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
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雙極型晶體管內部有()個極,()個區(qū),()個PN結。
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第一塊集成電路發(fā)明于()年。
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處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
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半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
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P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
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晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
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理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
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