A.p區(qū)
B.p區(qū)和n區(qū)的邊界
C.n區(qū)
D.pn結(jié)的界面上
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A.突變
B.逐漸變化
C.為零
D.與p區(qū)和n區(qū)相同
A.電子的漂移電流占據(jù)主導(dǎo)地位
B.空穴的擴(kuò)散電流占據(jù)主導(dǎo)地位
C.電子的擴(kuò)散電流占據(jù)主導(dǎo)地位
D.空穴的漂移電流占據(jù)主導(dǎo)地位
A.肖特基方程式
B.肖克萊方程式
C.肖伯特方程式
D.希伯特方程式
A.熱運(yùn)動(dòng)電流
B.熱激發(fā)電流
C.漂移電流
D.擴(kuò)散電流
A.雙曲函數(shù)
B.冪函數(shù)
C.對(duì)數(shù)函數(shù)
D.指數(shù)函數(shù)
最新試題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。