A.共發(fā)射極應(yīng)用
B.共基極應(yīng)用
C.作為PN結(jié)應(yīng)用時(shí)
D.共集電極應(yīng)用
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A.集電極電流與基極電流之比
B.集電極電流與發(fā)射極電流之比
C.發(fā)射極電流與基極電流之比
D.發(fā)射極電流與集電極電流之比
A.晶體管噪音最大時(shí)對應(yīng)的頻率
B.電流不放大時(shí)對應(yīng)的頻率
C.電壓放大倍數(shù)為1時(shí)對應(yīng)的頻率
D.功率放大倍數(shù)為1時(shí)對應(yīng)的頻率
A.共基極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對應(yīng)的頻率
B.共集電極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對應(yīng)的頻率
C.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對應(yīng)的頻率
D.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為0.707時(shí)所對應(yīng)的頻率
A.下降
B.不變
C.提高
D.與噪音頻率有關(guān)
A.1
B.2
C.4
D.3
最新試題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
雙極型晶體管內(nèi)部有()個(gè)極,()個(gè)區(qū),()個(gè)PN結(jié)。