單項(xiàng)選擇題晶體管共發(fā)射極應(yīng)用時(shí)，其放大倍數(shù)是（）。

A.集電極電流與基極電流之比
B.集電極電流與發(fā)射極電流之比
C.發(fā)射極電流與基極電流之比
D.發(fā)射極電流與集電極電流之比


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1.單項(xiàng)選擇題晶體管的最高震蕩頻率是指（）。

A.晶體管噪音最大時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率
B.電流不放大時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率
C.電壓放大倍數(shù)為1時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率
D.功率放大倍數(shù)為1時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率

2.單項(xiàng)選擇題晶體管的特征頻率是指（）。

A.共基極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
B.共集電極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
C.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
D.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為0.707時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率

3.單項(xiàng)選擇題晶體管工作頻率升高時(shí)，一般來說，電流放大倍數(shù)會(huì)（）。

A.下降
B.不變
C.提高
D.與噪音頻率有關(guān)

5.單項(xiàng)選擇題雙極型晶體管的基區(qū)寬度效應(yīng)的含義是（）。

A.由于外加電壓的變化引起的基區(qū)寬度變化的現(xiàn)象
B.基區(qū)寬度隨著摻雜濃度增大而加寬的現(xiàn)象
C.基區(qū)厚度對(duì)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的影響的現(xiàn)象
D.基區(qū)厚度會(huì)變化的現(xiàn)象