單項選擇題晶體管工作頻率升高時,一般來說,電流放大倍數會()。
A.下降
B.不變
C.提高
D.與噪音頻率有關
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1.單項選擇題雙極型晶體管的工作狀態(tài)共有()種。
A.1
B.2
C.4
D.3
2.單項選擇題雙極型晶體管的基區(qū)寬度效應的含義是()。
A.由于外加電壓的變化引起的基區(qū)寬度變化的現象
B.基區(qū)寬度隨著摻雜濃度增大而加寬的現象
C.基區(qū)厚度對發(fā)射結和集電結的影響的現象
D.基區(qū)厚度會變化的現象
3.單項選擇題發(fā)射結的發(fā)射效率的涵義是()。
A.發(fā)射結的發(fā)射功率
B.基區(qū)電流與發(fā)射區(qū)電流之比
C.發(fā)射極電流與發(fā)射區(qū)電流之比
D.注入基區(qū)的電子電流與發(fā)射極總電流之比
4.單項選擇題硅基pn結的正向導通電壓大概數值是()。
A.0.1V
B.0.9V
C.2.5v
D.0.5V
5.單項選擇題pn結正向偏置時,空間電荷區(qū)寬度()。
A.變窄
B.不變
C.變寬
D.消失
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()是最早實現提純和完美晶體生長的半導體材料。
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MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
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