單項(xiàng)選擇題硅基pn結(jié)的正向?qū)妷捍蟾艛?shù)值是（）。

A.0.1V
B.0.9V
C.2.5v
D.0.5V


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1.單項(xiàng)選擇題pn結(jié)正向偏置時(shí)，空間電荷區(qū)寬度（）。

A.變窄
B.不變
C.變寬
D.消失

2.單項(xiàng)選擇題pn結(jié)正向偏置時(shí)，理論上載流子濃度梯度最大的位置位于（）。

A.p區(qū)
B.p區(qū)和n區(qū)的邊界
C.n區(qū)
D.pn結(jié)的界面上

3.單項(xiàng)選擇題平衡狀態(tài)的pn結(jié)，其空間電荷區(qū)的載流子濃度（）。

A.突變
B.逐漸變化
C.為零
D.與p區(qū)和n區(qū)相同

4.單項(xiàng)選擇題pn結(jié)正向偏置時(shí)，p區(qū)邊界附近（）。

A.電子的漂移電流占據(jù)主導(dǎo)地位
B.空穴的擴(kuò)散電流占據(jù)主導(dǎo)地位
C.電子的擴(kuò)散電流占據(jù)主導(dǎo)地位
D.空穴的漂移電流占據(jù)主導(dǎo)地位

5.單項(xiàng)選擇題理想pn結(jié)電流與電壓之間的關(guān)系式被稱為是（）。

A.肖特基方程式
B.肖克萊方程式
C.肖伯特方程式
D.希伯特方程式