單項(xiàng)選擇題雙極型晶體管的基區(qū)寬度效應(yīng)的含義是（）。

A.由于外加電壓的變化引起的基區(qū)寬度變化的現(xiàn)象
B.基區(qū)寬度隨著摻雜濃度增大而加寬的現(xiàn)象
C.基區(qū)厚度對(duì)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的影響的現(xiàn)象
D.基區(qū)厚度會(huì)變化的現(xiàn)象


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1.單項(xiàng)選擇題發(fā)射結(jié)的發(fā)射效率的涵義是（）。

A.發(fā)射結(jié)的發(fā)射功率
B.基區(qū)電流與發(fā)射區(qū)電流之比
C.發(fā)射極電流與發(fā)射區(qū)電流之比
D.注入基區(qū)的電子電流與發(fā)射極總電流之比

2.單項(xiàng)選擇題硅基pn結(jié)的正向?qū)妷捍蟾艛?shù)值是（）。

A.0.1V
B.0.9V
C.2.5v
D.0.5V

3.單項(xiàng)選擇題pn結(jié)正向偏置時(shí)，空間電荷區(qū)寬度（）。

A.變窄
B.不變
C.變寬
D.消失

4.單項(xiàng)選擇題pn結(jié)正向偏置時(shí)，理論上載流子濃度梯度最大的位置位于（）。

A.p區(qū)
B.p區(qū)和n區(qū)的邊界
C.n區(qū)
D.pn結(jié)的界面上

5.單項(xiàng)選擇題平衡狀態(tài)的pn結(jié)，其空間電荷區(qū)的載流子濃度（）。

A.突變
B.逐漸變化
C.為零
D.與p區(qū)和n區(qū)相同