單項選擇題發(fā)射結(jié)的發(fā)射效率的涵義是()。
A.發(fā)射結(jié)的發(fā)射功率
B.基區(qū)電流與發(fā)射區(qū)電流之比
C.發(fā)射極電流與發(fā)射區(qū)電流之比
D.注入基區(qū)的電子電流與發(fā)射極總電流之比
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1.單項選擇題硅基pn結(jié)的正向?qū)妷捍蟾艛?shù)值是()。
A.0.1V
B.0.9V
C.2.5v
D.0.5V
2.單項選擇題pn結(jié)正向偏置時,空間電荷區(qū)寬度()。
A.變窄
B.不變
C.變寬
D.消失
3.單項選擇題pn結(jié)正向偏置時,理論上載流子濃度梯度最大的位置位于()。
A.p區(qū)
B.p區(qū)和n區(qū)的邊界
C.n區(qū)
D.pn結(jié)的界面上
4.單項選擇題平衡狀態(tài)的pn結(jié),其空間電荷區(qū)的載流子濃度()。
A.突變
B.逐漸變化
C.為零
D.與p區(qū)和n區(qū)相同
5.單項選擇題pn結(jié)正向偏置時,p區(qū)邊界附近()。
A.電子的漂移電流占據(jù)主導(dǎo)地位
B.空穴的擴散電流占據(jù)主導(dǎo)地位
C.電子的擴散電流占據(jù)主導(dǎo)地位
D.空穴的漂移電流占據(jù)主導(dǎo)地位
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MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
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柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
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p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
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1947年,()等人制造了第一個晶體管。
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當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
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MOS管閾值電壓的單位是eV。
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MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
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