單項選擇題晶體管的最高震蕩頻率是指（）。

A.晶體管噪音最大時對應(yīng)的頻率
B.電流不放大時對應(yīng)的頻率
C.電壓放大倍數(shù)為1時對應(yīng)的頻率
D.功率放大倍數(shù)為1時對應(yīng)的頻率


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1.單項選擇題晶體管的特征頻率是指（）。

A.共基極電流放大倍數(shù)為1時所對應(yīng)的頻率
B.共集電極電流放大倍數(shù)為1時所對應(yīng)的頻率
C.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為1時所對應(yīng)的頻率
D.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為0.707時所對應(yīng)的頻率

2.單項選擇題晶體管工作頻率升高時，一般來說，電流放大倍數(shù)會（）。

A.下降
B.不變
C.提高
D.與噪音頻率有關(guān)

4.單項選擇題雙極型晶體管的基區(qū)寬度效應(yīng)的含義是（）。

A.由于外加電壓的變化引起的基區(qū)寬度變化的現(xiàn)象
B.基區(qū)寬度隨著摻雜濃度增大而加寬的現(xiàn)象
C.基區(qū)厚度對發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的影響的現(xiàn)象
D.基區(qū)厚度會變化的現(xiàn)象

5.單項選擇題發(fā)射結(jié)的發(fā)射效率的涵義是（）。

A.發(fā)射結(jié)的發(fā)射功率
B.基區(qū)電流與發(fā)射區(qū)電流之比
C.發(fā)射極電流與發(fā)射區(qū)電流之比
D.注入基區(qū)的電子電流與發(fā)射極總電流之比