A.共基極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
B.共集電極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
C.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
D.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為0.707時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
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A.下降
B.不變
C.提高
D.與噪音頻率有關(guān)
A.1
B.2
C.4
D.3
A.由于外加電壓的變化引起的基區(qū)寬度變化的現(xiàn)象
B.基區(qū)寬度隨著摻雜濃度增大而加寬的現(xiàn)象
C.基區(qū)厚度對(duì)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的影響的現(xiàn)象
D.基區(qū)厚度會(huì)變化的現(xiàn)象
A.發(fā)射結(jié)的發(fā)射功率
B.基區(qū)電流與發(fā)射區(qū)電流之比
C.發(fā)射極電流與發(fā)射區(qū)電流之比
D.注入基區(qū)的電子電流與發(fā)射極總電流之比
A.0.1V
B.0.9V
C.2.5v
D.0.5V
最新試題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
晶體管正常使用過(guò)程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。