A.共發(fā)射極電路電流放大系數(shù)比共基極大
B.共基極電路輸出阻抗比共發(fā)射極大
C.偏置電壓的減小對輸出電流的影響不同
D.輸入電流一定時，兩種特性曲線的輸出電流都隨著輸出電壓的增加而變化
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A.向左移動
B.向右移動
C.基本不變
D.與正向偏置PN結(jié)電壓有關(guān)
A.基區(qū)足夠薄
B.基區(qū)厚度大于1mm
C.基區(qū)厚度小于1nm
D.基區(qū)足夠?qū)?/p>
A.3
B.7
C.2
D.6
A.發(fā)射極電流與基極電流之比
B.基極電流與集電極電流之比
C.集電極電流與發(fā)射極電流之比
D.集電極電流與基極電流之比
A.共發(fā)射極應(yīng)用
B.共基極應(yīng)用
C.作為PN結(jié)應(yīng)用時
D.共集電極應(yīng)用
最新試題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。