A.向左移動(dòng)
B.向右移動(dòng)
C.基本不變
D.與正向偏置PN結(jié)電壓有關(guān)
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A.基區(qū)足夠薄
B.基區(qū)厚度大于1mm
C.基區(qū)厚度小于1nm
D.基區(qū)足夠?qū)?/p>
A.3
B.7
C.2
D.6
A.發(fā)射極電流與基極電流之比
B.基極電流與集電極電流之比
C.集電極電流與發(fā)射極電流之比
D.集電極電流與基極電流之比
A.共發(fā)射極應(yīng)用
B.共基極應(yīng)用
C.作為PN結(jié)應(yīng)用時(shí)
D.共集電極應(yīng)用
A.集電極電流與基極電流之比
B.集電極電流與發(fā)射極電流之比
C.發(fā)射極電流與基極電流之比
D.發(fā)射極電流與集電極電流之比
最新試題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。