A.3
B.7
C.2
D.6
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A.發(fā)射極電流與基極電流之比
B.基極電流與集電極電流之比
C.集電極電流與發(fā)射極電流之比
D.集電極電流與基極電流之比
A.共發(fā)射極應(yīng)用
B.共基極應(yīng)用
C.作為PN結(jié)應(yīng)用時
D.共集電極應(yīng)用
A.集電極電流與基極電流之比
B.集電極電流與發(fā)射極電流之比
C.發(fā)射極電流與基極電流之比
D.發(fā)射極電流與集電極電流之比
A.晶體管噪音最大時對應(yīng)的頻率
B.電流不放大時對應(yīng)的頻率
C.電壓放大倍數(shù)為1時對應(yīng)的頻率
D.功率放大倍數(shù)為1時對應(yīng)的頻率
A.共基極電流放大倍數(shù)為1時所對應(yīng)的頻率
B.共集電極電流放大倍數(shù)為1時所對應(yīng)的頻率
C.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為1時所對應(yīng)的頻率
D.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為0.707時所對應(yīng)的頻率
最新試題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。