A.發(fā)射極電流與基極電流之比
B.基極電流與集電極電流之比
C.集電極電流與發(fā)射極電流之比
D.集電極電流與基極電流之比
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A.共發(fā)射極應(yīng)用
B.共基極應(yīng)用
C.作為PN結(jié)應(yīng)用時(shí)
D.共集電極應(yīng)用
A.集電極電流與基極電流之比
B.集電極電流與發(fā)射極電流之比
C.發(fā)射極電流與基極電流之比
D.發(fā)射極電流與集電極電流之比
A.晶體管噪音最大時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率
B.電流不放大時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率
C.電壓放大倍數(shù)為1時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率
D.功率放大倍數(shù)為1時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率
A.共基極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
B.共集電極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
C.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
D.共發(fā)射極電流放大倍數(shù)為0.707時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率
A.下降
B.不變
C.提高
D.與噪音頻率有關(guān)
最新試題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。