單項選擇題兩個背靠背的PN結，達到以下哪個條件時，可以形成具有電流放大功能的晶體管？（）
A.基區(qū)足夠薄
B.基區(qū)厚度大于1mm
C.基區(qū)厚度小于1nm
D.基區(qū)足夠寬
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1.單項選擇題對晶體管使用過程中的載流子形成及電流分析過程中，共有（）股微觀小電流。
A.3
B.7
C.2
D.6
2.單項選擇題晶體管共基極應用時，其放大倍數(shù)是（）。
A.發(fā)射極電流與基極電流之比
B.基極電流與集電極電流之比
C.集電極電流與發(fā)射極電流之比
D.集電極電流與基極電流之比
3.單項選擇題晶體管放大倍數(shù)最大時，其使用方式是（）。
A.共發(fā)射極應用
B.共基極應用
C.作為PN結應用時
D.共集電極應用
4.單項選擇題晶體管共發(fā)射極應用時，其放大倍數(shù)是（）。
A.集電極電流與基極電流之比
B.集電極電流與發(fā)射極電流之比
C.發(fā)射極電流與基極電流之比
D.發(fā)射極電流與集電極電流之比
5.單項選擇題晶體管的最高震蕩頻率是指（）。
A.晶體管噪音最大時對應的頻率
B.電流不放大時對應的頻率
C.電壓放大倍數(shù)為1時對應的頻率
D.功率放大倍數(shù)為1時對應的頻率
最新試題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。
題型：填空題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題