單項(xiàng)選擇題不適合使用無蓄電池的直流光伏發(fā)電系統(tǒng)的應(yīng)用有()。
A.直流光伏水泵
B.充電器
C.太陽能風(fēng)扇帽
D.草坪燈、庭院燈
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1.單項(xiàng)選擇題以下是太陽能光伏發(fā)電的優(yōu)點(diǎn)的是()。
A.間歇性工作
B.地域依賴性強(qiáng)
C.光伏發(fā)電本身不用燃料
D.占地面積大
2.單項(xiàng)選擇題以下不是太陽能光伏發(fā)電的缺點(diǎn)的是()。
A.能量密度低
B.就近解決發(fā)電、供電和用電
C.受自然條件和氣候環(huán)境因素影響大
D.轉(zhuǎn)換效率較低
3.單項(xiàng)選擇題平衡pn結(jié)的接觸電壓與下列哪些參數(shù)成線性正比?()
A.單位電荷量
B.摻雜濃度
C.本征載流子濃度
D.絕對溫度
4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于平衡態(tài)pn結(jié)載流子濃度的說法中,正確的有()。
A.p區(qū)多子濃度大于n區(qū)多子濃度
B.p區(qū)空穴濃度大于n區(qū)電子濃度
C.p區(qū)電子濃度小于n區(qū)電子濃度
D.p區(qū)本征載流子濃度大于n區(qū)本征載流子濃度
5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于單晶硅的本征載流子濃度的說法中,錯誤的有()。
A.隨溫度升高而增大
B.隨光照波長的減小而增大
C.隨材料帶隙增大而減小
D.其數(shù)值等于空穴濃度加上電子濃度
最新試題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
題型:填空題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題