單項選擇題關(guān)于單晶硅的本征載流子濃度的說法中,錯誤的有()。
A.隨溫度升高而增大
B.隨光照波長的減小而增大
C.隨材料帶隙增大而減小
D.其數(shù)值等于空穴濃度加上電子濃度
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1.單項選擇題NPN型晶體管的以下頻率參數(shù)中,哪個數(shù)值最大?()
A.特征頻率
B.貝塔截止頻率
C.阿爾法截止頻率
2.單項選擇題NPN型晶體管交流使用中,此時的工作頻率與哪個頻率參數(shù)對比可以用來判斷此時晶體管是否起電流放大作用?()
A.最高震蕩頻率
B.阿爾法截止頻率
C.特征頻率
D.貝塔截止頻率
3.單項選擇題NPN型晶體管在交流使用情況下,當(dāng)交流信號的頻率很低時,其電流放大倍數(shù)與交流信號的頻率之間的關(guān)系是()。
A.無關(guān)
B.有關(guān)
C.放大倍數(shù)是交流頻率的0.707倍
D.交流頻率是放大倍數(shù)的0.707倍
4.單項選擇題晶體管交流應(yīng)用時,所謂的小電流的含義是()。
A.流經(jīng)晶體管的電流非常微弱
B.交流電壓信號的頻率很小
C.交流電壓和電流的峰值小于直流電壓和電流值
D.交流電壓和電流小于直流電壓和電流的0.707倍
5.單項選擇題晶體管發(fā)生低擊穿時,其擊穿電壓只有幾個伏特,這種擊穿屬于()。
A.硬擊穿
B.靠背式擊穿
C.軟擊穿
D.雪崩擊穿
最新試題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
實際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題