單項(xiàng)選擇題晶體管發(fā)生低擊穿時(shí)，其擊穿電壓只有幾個(gè)伏特，這種擊穿屬于（）。

A.硬擊穿
B.靠背式擊穿
C.軟擊穿
D.雪崩擊穿


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1.單項(xiàng)選擇題NPN型晶體管共發(fā)射極應(yīng)用時(shí)，其輸出特性曲線向上傾斜，這是以下哪個(gè)原因造成的？（）

A.表面電流過(guò)小
B.穿通電流過(guò)大
C.復(fù)合電流過(guò)大
D.反向電流過(guò)大

2.單項(xiàng)選擇題NPN型晶體管共基極和共發(fā)射極應(yīng)用時(shí)，關(guān)于輸出特性曲線的說(shuō)法中，錯(cuò)誤的是（）。

A.共發(fā)射極電路電流放大系數(shù)比共基極大
B.共基極電路輸出阻抗比共發(fā)射極大
C.偏置電壓的減小對(duì)輸出電流的影響不同
D.輸入電流一定時(shí)，兩種特性曲線的輸出電流都隨著輸出電壓的增加而變化

3.單項(xiàng)選擇題NPN型晶體管共基極應(yīng)用時(shí)，當(dāng)增大反向偏置PN結(jié)電壓時(shí)，其直流輸入特性曲線（）。

A.向左移動(dòng)
B.向右移動(dòng)
C.基本不變
D.與正向偏置PN結(jié)電壓有關(guān)

4.單項(xiàng)選擇題兩個(gè)背靠背的PN結(jié)，達(dá)到以下哪個(gè)條件時(shí)，可以形成具有電流放大功能的晶體管？（）

A.基區(qū)足夠薄
B.基區(qū)厚度大于1mm
C.基區(qū)厚度小于1nm
D.基區(qū)足夠?qū)?/p>