單項選擇題NPN型晶體管共發(fā)射極應(yīng)用時，其輸出特性曲線向上傾斜，這是以下哪個原因造成的？（）
A.表面電流過小
B.穿通電流過大
C.復(fù)合電流過大
D.反向電流過大
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1.單項選擇題NPN型晶體管共基極和共發(fā)射極應(yīng)用時，關(guān)于輸出特性曲線的說法中，錯誤的是（）。
A.共發(fā)射極電路電流放大系數(shù)比共基極大
B.共基極電路輸出阻抗比共發(fā)射極大
C.偏置電壓的減小對輸出電流的影響不同
D.輸入電流一定時，兩種特性曲線的輸出電流都隨著輸出電壓的增加而變化
2.單項選擇題NPN型晶體管共基極應(yīng)用時，當(dāng)增大反向偏置PN結(jié)電壓時，其直流輸入特性曲線（）。
A.向左移動
B.向右移動
C.基本不變
D.與正向偏置PN結(jié)電壓有關(guān)
3.單項選擇題兩個背靠背的PN結(jié)，達(dá)到以下哪個條件時，可以形成具有電流放大功能的晶體管？（）
A.基區(qū)足夠薄
B.基區(qū)厚度大于1mm
C.基區(qū)厚度小于1nm
D.基區(qū)足夠?qū)?/p>
4.單項選擇題對晶體管使用過程中的載流子形成及電流分析過程中，共有（）股微觀小電流。
A.3
B.7
C.2
D.6
5.單項選擇題晶體管共基極應(yīng)用時，其放大倍數(shù)是（）。
A.發(fā)射極電流與基極電流之比
B.基極電流與集電極電流之比
C.集電極電流與發(fā)射極電流之比
D.集電極電流與基極電流之比
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MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
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第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
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