單項選擇題NPN型晶體管交流使用中,此時的工作頻率與哪個頻率參數(shù)對比可以用來判斷此時晶體管是否起電流放大作用?()
A.最高震蕩頻率
B.阿爾法截止頻率
C.特征頻率
D.貝塔截止頻率
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1.單項選擇題NPN型晶體管在交流使用情況下,當交流信號的頻率很低時,其電流放大倍數(shù)與交流信號的頻率之間的關(guān)系是()。
A.無關(guān)
B.有關(guān)
C.放大倍數(shù)是交流頻率的0.707倍
D.交流頻率是放大倍數(shù)的0.707倍
2.單項選擇題晶體管交流應用時,所謂的小電流的含義是()。
A.流經(jīng)晶體管的電流非常微弱
B.交流電壓信號的頻率很小
C.交流電壓和電流的峰值小于直流電壓和電流值
D.交流電壓和電流小于直流電壓和電流的0.707倍
3.單項選擇題晶體管發(fā)生低擊穿時,其擊穿電壓只有幾個伏特,這種擊穿屬于()。
A.硬擊穿
B.靠背式擊穿
C.軟擊穿
D.雪崩擊穿
4.單項選擇題NPN型晶體管共發(fā)射極應用時,其輸出特性曲線向上傾斜,這是以下哪個原因造成的?()
A.表面電流過小
B.穿通電流過大
C.復合電流過大
D.反向電流過大
5.單項選擇題NPN型晶體管共基極和共發(fā)射極應用時,關(guān)于輸出特性曲線的說法中,錯誤的是()。
A.共發(fā)射極電路電流放大系數(shù)比共基極大
B.共基極電路輸出阻抗比共發(fā)射極大
C.偏置電壓的減小對輸出電流的影響不同
D.輸入電流一定時,兩種特性曲線的輸出電流都隨著輸出電壓的增加而變化
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N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
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MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
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第一塊集成電路發(fā)明于()年。
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MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
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題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題