A.流經(jīng)晶體管的電流非常微弱
B.交流電壓信號(hào)的頻率很小
C.交流電壓和電流的峰值小于直流電壓和電流值
D.交流電壓和電流小于直流電壓和電流的0.707倍
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A.硬擊穿
B.靠背式擊穿
C.軟擊穿
D.雪崩擊穿
A.表面電流過小
B.穿通電流過大
C.復(fù)合電流過大
D.反向電流過大
A.共發(fā)射極電路電流放大系數(shù)比共基極大
B.共基極電路輸出阻抗比共發(fā)射極大
C.偏置電壓的減小對(duì)輸出電流的影響不同
D.輸入電流一定時(shí)，兩種特性曲線的輸出電流都隨著輸出電壓的增加而變化
A.向左移動(dòng)
B.向右移動(dòng)
C.基本不變
D.與正向偏置PN結(jié)電壓有關(guān)
A.基區(qū)足夠薄
B.基區(qū)厚度大于1mm
C.基區(qū)厚度小于1nm
D.基區(qū)足夠?qū)?/p>
最新試題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
MOS管閾值電壓的單位是eV。
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。