單項選擇題NPN型晶體管的以下頻率參數(shù)中，哪個數(shù)值最大？（）
A.特征頻率
B.貝塔截止頻率
C.阿爾法截止頻率
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1.單項選擇題NPN型晶體管交流使用中，此時的工作頻率與哪個頻率參數(shù)對比可以用來判斷此時晶體管是否起電流放大作用？（）
A.最高震蕩頻率
B.阿爾法截止頻率
C.特征頻率
D.貝塔截止頻率
2.單項選擇題NPN型晶體管在交流使用情況下，當(dāng)交流信號的頻率很低時，其電流放大倍數(shù)與交流信號的頻率之間的關(guān)系是（）。
A.無關(guān)
B.有關(guān)
C.放大倍數(shù)是交流頻率的0.707倍
D.交流頻率是放大倍數(shù)的0.707倍
3.單項選擇題晶體管交流應(yīng)用時，所謂的小電流的含義是（）。
A.流經(jīng)晶體管的電流非常微弱
B.交流電壓信號的頻率很小
C.交流電壓和電流的峰值小于直流電壓和電流值
D.交流電壓和電流小于直流電壓和電流的0.707倍
4.單項選擇題晶體管發(fā)生低擊穿時，其擊穿電壓只有幾個伏特，這種擊穿屬于（）。
A.硬擊穿
B.靠背式擊穿
C.軟擊穿
D.雪崩擊穿
5.單項選擇題NPN型晶體管共發(fā)射極應(yīng)用時，其輸出特性曲線向上傾斜，這是以下哪個原因造成的？（）
A.表面電流過小
B.穿通電流過大
C.復(fù)合電流過大
D.反向電流過大
最新試題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題