單項選擇題關(guān)于平衡態(tài)pn結(jié)載流子濃度的說法中,正確的有()。
A.p區(qū)多子濃度大于n區(qū)多子濃度
B.p區(qū)空穴濃度大于n區(qū)電子濃度
C.p區(qū)電子濃度小于n區(qū)電子濃度
D.p區(qū)本征載流子濃度大于n區(qū)本征載流子濃度
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1.單項選擇題關(guān)于單晶硅的本征載流子濃度的說法中,錯誤的有()。
A.隨溫度升高而增大
B.隨光照波長的減小而增大
C.隨材料帶隙增大而減小
D.其數(shù)值等于空穴濃度加上電子濃度
2.單項選擇題NPN型晶體管的以下頻率參數(shù)中,哪個數(shù)值最大?()
A.特征頻率
B.貝塔截止頻率
C.阿爾法截止頻率
3.單項選擇題NPN型晶體管交流使用中,此時的工作頻率與哪個頻率參數(shù)對比可以用來判斷此時晶體管是否起電流放大作用?()
A.最高震蕩頻率
B.阿爾法截止頻率
C.特征頻率
D.貝塔截止頻率
4.單項選擇題NPN型晶體管在交流使用情況下,當(dāng)交流信號的頻率很低時,其電流放大倍數(shù)與交流信號的頻率之間的關(guān)系是()。
A.無關(guān)
B.有關(guān)
C.放大倍數(shù)是交流頻率的0.707倍
D.交流頻率是放大倍數(shù)的0.707倍
5.單項選擇題晶體管交流應(yīng)用時,所謂的小電流的含義是()。
A.流經(jīng)晶體管的電流非常微弱
B.交流電壓信號的頻率很小
C.交流電壓和電流的峰值小于直流電壓和電流值
D.交流電壓和電流小于直流電壓和電流的0.707倍
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MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
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MOS管閾值電壓的單位是eV。
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第一塊集成電路發(fā)明于()年。
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處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
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MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
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