單項(xiàng)選擇題以下不是太陽能光伏發(fā)電的缺點(diǎn)的是()。
A.能量密度低
B.就近解決發(fā)電、供電和用電
C.受自然條件和氣候環(huán)境因素影響大
D.轉(zhuǎn)換效率較低
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1.單項(xiàng)選擇題平衡pn結(jié)的接觸電壓與下列哪些參數(shù)成線性正比?()
A.單位電荷量
B.摻雜濃度
C.本征載流子濃度
D.絕對(duì)溫度
2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于平衡態(tài)pn結(jié)載流子濃度的說法中,正確的有()。
A.p區(qū)多子濃度大于n區(qū)多子濃度
B.p區(qū)空穴濃度大于n區(qū)電子濃度
C.p區(qū)電子濃度小于n區(qū)電子濃度
D.p區(qū)本征載流子濃度大于n區(qū)本征載流子濃度
3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于單晶硅的本征載流子濃度的說法中,錯(cuò)誤的有()。
A.隨溫度升高而增大
B.隨光照波長(zhǎng)的減小而增大
C.隨材料帶隙增大而減小
D.其數(shù)值等于空穴濃度加上電子濃度
4.單項(xiàng)選擇題NPN型晶體管的以下頻率參數(shù)中,哪個(gè)數(shù)值最大?()
A.特征頻率
B.貝塔截止頻率
C.阿爾法截止頻率
5.單項(xiàng)選擇題NPN型晶體管交流使用中,此時(shí)的工作頻率與哪個(gè)頻率參數(shù)對(duì)比可以用來判斷此時(shí)晶體管是否起電流放大作用?()
A.最高震蕩頻率
B.阿爾法截止頻率
C.特征頻率
D.貝塔截止頻率
最新試題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型:判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題