單項(xiàng)選擇題平衡pn結(jié)的接觸電壓與下列哪些參數(shù)成線性正比?()
A.單位電荷量
B.摻雜濃度
C.本征載流子濃度
D.絕對(duì)溫度
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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于平衡態(tài)pn結(jié)載流子濃度的說法中,正確的有()。
A.p區(qū)多子濃度大于n區(qū)多子濃度
B.p區(qū)空穴濃度大于n區(qū)電子濃度
C.p區(qū)電子濃度小于n區(qū)電子濃度
D.p區(qū)本征載流子濃度大于n區(qū)本征載流子濃度
2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于單晶硅的本征載流子濃度的說法中,錯(cuò)誤的有()。
A.隨溫度升高而增大
B.隨光照波長(zhǎng)的減小而增大
C.隨材料帶隙增大而減小
D.其數(shù)值等于空穴濃度加上電子濃度
3.單項(xiàng)選擇題NPN型晶體管的以下頻率參數(shù)中,哪個(gè)數(shù)值最大?()
A.特征頻率
B.貝塔截止頻率
C.阿爾法截止頻率
4.單項(xiàng)選擇題NPN型晶體管交流使用中,此時(shí)的工作頻率與哪個(gè)頻率參數(shù)對(duì)比可以用來判斷此時(shí)晶體管是否起電流放大作用?()
A.最高震蕩頻率
B.阿爾法截止頻率
C.特征頻率
D.貝塔截止頻率
5.單項(xiàng)選擇題NPN型晶體管在交流使用情況下,當(dāng)交流信號(hào)的頻率很低時(shí),其電流放大倍數(shù)與交流信號(hào)的頻率之間的關(guān)系是()。
A.無關(guān)
B.有關(guān)
C.放大倍數(shù)是交流頻率的0.707倍
D.交流頻率是放大倍數(shù)的0.707倍
最新試題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
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處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
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“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
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MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
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n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
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MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題