單項(xiàng)選擇題以下是太陽(yáng)能光伏發(fā)電的優(yōu)點(diǎn)的是()。
A.間歇性工作
B.地域依賴(lài)性強(qiáng)
C.光伏發(fā)電本身不用燃料
D.占地面積大
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1.單項(xiàng)選擇題以下不是太陽(yáng)能光伏發(fā)電的缺點(diǎn)的是()。
A.能量密度低
B.就近解決發(fā)電、供電和用電
C.受自然條件和氣候環(huán)境因素影響大
D.轉(zhuǎn)換效率較低
2.單項(xiàng)選擇題平衡pn結(jié)的接觸電壓與下列哪些參數(shù)成線(xiàn)性正比?()
A.單位電荷量
B.摻雜濃度
C.本征載流子濃度
D.絕對(duì)溫度
3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于平衡態(tài)pn結(jié)載流子濃度的說(shuō)法中,正確的有()。
A.p區(qū)多子濃度大于n區(qū)多子濃度
B.p區(qū)空穴濃度大于n區(qū)電子濃度
C.p區(qū)電子濃度小于n區(qū)電子濃度
D.p區(qū)本征載流子濃度大于n區(qū)本征載流子濃度
4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于單晶硅的本征載流子濃度的說(shuō)法中,錯(cuò)誤的有()。
A.隨溫度升高而增大
B.隨光照波長(zhǎng)的減小而增大
C.隨材料帶隙增大而減小
D.其數(shù)值等于空穴濃度加上電子濃度
5.單項(xiàng)選擇題NPN型晶體管的以下頻率參數(shù)中,哪個(gè)數(shù)值最大?()
A.特征頻率
B.貝塔截止頻率
C.阿爾法截止頻率
最新試題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線(xiàn)中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線(xiàn)可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題