單項選擇題半導體工業(yè)所用的硅單晶()是用CZ法生長的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題下列屬于單晶硅片的一般形狀().
A.方形
B.三角形
C.橢圓形
D.梯形
2.單項選擇題下列不屬于非晶硅優(yōu)點的是().
A.制備方法簡單
B.工藝成本低
C.制備溫度高
D.可大面積制備
3.單項選擇題其中不屬于多晶硅的生產(chǎn)方法的是().
A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西門子改良法
4.單項選擇題參雜硼元素的半導體是().
A.p型半導體
B.本征半導體
C.N型半導體
D.pn結
5.單項選擇題下列不屬于三氯氫硅性質的是()。
A、無色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
最新試題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質和缺陷。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型:判斷題