單項選擇題下列不屬于三氯氫硅性質的是（）。
A、無色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
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1.單項選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是（）。
A.具有較大的內表面，吸附容量大
B.具有一定的機械強度，耐熱沖擊，耐腐蝕
C.不易得，昂貴
D.容易再生
2.單項選擇題下列與硼氧復合體缺陷無關的是（）。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
3.單項選擇題盡量提高晶轉可以改善晶體中雜質分布的徑向均勻性，如果晶轉過高，會導致固液界面的形狀（）。
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過于平整
D、無變化
4.單項選擇題通過（）改變驅動力場，借以控制生長系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長工藝中經常使用的方法。
A、溫度場
B、磁場
C、重力場
D、電場
5.單項選擇題硅的晶格結構和能帶結構分別是（）.
A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型
最新試題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題
柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題