單項(xiàng)選擇題通過(guò)（）改變驅(qū)動(dòng)力場(chǎng)，借以控制生長(zhǎng)系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長(zhǎng)工藝中經(jīng)常使用的方法。
A、溫度場(chǎng)
B、磁場(chǎng)
C、重力場(chǎng)
D、電場(chǎng)
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1.單項(xiàng)選擇題硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.
A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型
2.單項(xiàng)選擇題固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保護(hù)氣中，在（）攝氏度以上進(jìn)行常規(guī)熱處理。
A、300
B、400
C、500
D、600
3.單項(xiàng)選擇題如果半導(dǎo)體中存在多種雜質(zhì)，在通常情況下，可以認(rèn)為基本上屬于雜質(zhì)飽和電離范圍，其電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系可近似表示為（）.
A.1/（NA-ND.eｕp
B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
D.1/（NA+ND.eｕp
5.問(wèn)答題從微觀上看，漩渦缺陷與錯(cuò)位缺陷有什么區(qū)別？
最新試題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題