半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。