問(wèn)答題測(cè)試非平衡少數(shù)載流子數(shù)目的方法？
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1.問(wèn)答題光電導(dǎo)衰退法分為哪幾種?都有什么優(yōu)點(diǎn)?
2.問(wèn)答題晶半導(dǎo)體中的缺陷都有哪些？
3.問(wèn)答題位錯(cuò)的面密度是如何計(jì)算的？
4.問(wèn)答題從微觀上看，漩渦缺陷與位錯(cuò)蝕坑有什么區(qū)別？
5.問(wèn)答題金相顯微鏡的構(gòu)成？
最新試題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題