雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。