MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。