MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。