MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。